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IXTY02N120P

IXYS TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
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简述:MOSFET N-CH 1200V 200MA DPAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IXTY02N120P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):200mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):75 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):104pF @ 25V
功率 - 最大值:33W
安装类型:表面贴装

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