收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTY01N100
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTY01N100

IXYS TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2503
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1000V 100MA DPAK
参考包装数量:70
参考包装形式:剪切带 (CT)

与IXTY01N100相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTY01N100D IXYS TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 1254 MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极...
IXTY01N80 IXYS TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTY02N120P IXYS TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 1200V 200MA DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IXTX90P20P IXYS TO-247-3 10 MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTX90N25L2 IXYS TO-247-3 137 MOSFET N-CH 90A 250V PLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTX8N150L IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTY01N100参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):80 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):54pF @ 25V
功率 - 最大值:25W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别