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IXTY01N100D

IXYS TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 1254
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简述:MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
参考包装数量:70
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IXTY01N100D参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:耗尽模式
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):110 欧姆 @ 50mA,0V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):120pF @ 25V
功率 - 最大值:1.1W
安装类型:表面贴装

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