| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IXTY08N100D2 |
IXYS | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 1919 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK 参考包装数量：70 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IXTY08N100P | IXYS | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IXTY08N120P | IXYS | TO-220-3 | MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IXTY08N50D2 | IXYS | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... | |
| IXTY06N120P | IXYS | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IXTY02N50D | IXYS | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 379 | MOSFET N-CH 500V 200MA DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... |
| IXTY02N120P | IXYS | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 1200V 200MA DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
