收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTX90N25L2
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTX90N25L2

IXYS TO-247-3 137
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 90A 250V PLUS247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXTX90N25L2相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTX90P20P IXYS TO-247-3 10 MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTY01N100 IXYS TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2503 MOSFET N-CH 1000V 100MA DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTY01N100D IXYS TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 1254 MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极...
IXTX8N150L IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTX60N50L2 IXYS TO-247-3 60 MOSFET N-CH 60A 500V PLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTX600N04T2 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTX90N25L2参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):90A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 45A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):640nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):23000pF @ 25V
功率 - 最大值:960W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别