| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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CSD86330EVM-717 |
Texas Instruments | 1+215 | 询价QQ： |
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| 简述：EVAL MODULE FOR CSD86330Q3D 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| CSD86330Q3D | Texas Instruments | 8-LDFN | 5000 | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON | FET 型：2 个 N 通道（半桥） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(... |
| CSD86350Q5D | Texas Instruments | 8-SOIC（0.236"，6.00mm 宽） | 10000 | MOSFET N-CH 25V 40A 8SON | FET 型：2 个 N 通道（半桥） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(... |
| CSD86350Q5DEVM-604 | Texas Instruments | 5+336 | EVAL MODULE FOR CSD86350Q5D | ... | |
| CSD86311W1723 | Texas Instruments | 12-UFBGA，DSBGA | MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| CSD75301W1015 | Texas Instruments | 6-UFBGA，DSBGA | 3000+9000 | MOSFET PCH 20V 1.2A 6DSBGA | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| CSD75211W1723 | Texas Instruments | 12-UFBGA，DSBGA | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
