型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSZ0902NS |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 参考包装数量:5000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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BSZ0902NSI | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSZ0904NSI | Infineon Technologies | 8-TDFN 裸露焊盘 | 5000 | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:逻辑电... |
BSZ0909NS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 30V 19A TSDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSZ0901NSI | Infineon Technologies | 8-TDFN 裸露焊盘 | 10000 | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:逻辑电... |
BSZ0901NS | Infineon Technologies | 8-TDFN 裸露焊盘 | MOSFET N-CH 30V S308 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSZ088N03MSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |