收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BSZ0904NSI
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSZ0904NSI

Infineon Technologies 8-TDFN 裸露焊盘 5000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSZ0904NSI相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSZ0909NS Infineon Technologies 8-PowerTDFN 5000 MOSFET N-CH 30V 19A TSDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSZ097N04LSG Infineon Technologies 8-PowerTDFN 35000 MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSZ100N03LSG Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSZ0902NSI Infineon Technologies 8-PowerTDFN 5000 MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSZ0902NS Infineon Technologies 8-PowerTDFN 5000 MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSZ0901NSI Infineon Technologies 8-TDFN 裸露焊盘 10000 MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:逻辑电...

BSZ0904NSI参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 15V
功率 - 最大值:37W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别