| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSZ088N03MSG |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSZ0901NS | Infineon Technologies | 8-TDFN 裸露焊盘 | MOSFET N-CH 30V S308 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSZ0901NSI | Infineon Technologies | 8-TDFN 裸露焊盘 | 10000 | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | FET 类型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能：逻辑电... |
| BSZ0902NS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSZ088N03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSZ086P03NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSZ086P03NS3EG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
