| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
BSZ0901NS |
Infineon Technologies | 8-TDFN 裸露焊盘 | 询价QQ： |
||
| 简述：MOSFET N-CH 30V S308 参考包装数量：5000 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| BSZ0901NSI | Infineon Technologies | 8-TDFN 裸露焊盘 | 10000 | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | FET 类型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能：逻辑电... |
| BSZ0902NS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSZ0902NSI | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSZ088N03MSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSZ088N03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSZ086P03NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
