| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSO615NG |
Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 12500 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSOF3S3E-010.0M | Connor-Winfield | 16-SMD（13 个垫片），无引线（DFN，LCC） | 8 | OSC OCXO 10.0000MHZ 3.3V SMD | 类型：OCXO 频率：10MHz 功能：- 输出：HCMOS 电源电压：3.3V... |
| BSP030,115 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 4000 | MOSFET N-CH 30V 10A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP100,135 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 4000 | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSO615N | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSO615CT | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| BSO615CG | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
