| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSOF3S3E-010.0M |
Connor-Winfield | 16-SMD（13 个垫片），无引线（DFN，LCC） | 8 | 询价QQ： |
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| 简述：OSC OCXO 10.0000MHZ 3.3V SMD 参考包装数量：5 参考包装形式：托盘 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSP030,115 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 4000 | MOSFET N-CH 30V 10A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP100,135 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 4000 | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP110,115 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 4000 | MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSO615NG | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 12500 | MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| BSO615N | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSO615CT | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
