| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
BSP100,135 |
NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 4000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223 参考包装数量：4000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSP110,115 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 4000 | MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP122,115 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 4000 | MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| BSP123E6327T | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSP030,115 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 4000 | MOSFET N-CH 30V 10A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSOF3S3E-010.0M | Connor-Winfield | 16-SMD（13 个垫片），无引线（DFN，LCC） | 8 | OSC OCXO 10.0000MHZ 3.3V SMD | 类型：OCXO 频率：10MHz 功能：- 输出：HCMOS 电源电压：3.3V... |
| BSO615NG | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 12500 | MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
