收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > BSO612CVG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSO612CVG

Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSO612CVG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSO613SPV Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 60V 3.44A DSO-8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSO613SPVG Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET P-CH 60V 3.44A DSO-8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSO615CG Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000 MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
BSO612CV Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):6...
BSO604NS2 Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CHAN DUAL 55V DSO-8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
BSO4822T Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

BSO612CVG参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A,2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:120 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 20µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:15.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:340pF @ 25V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别