| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSO613SPVG |
Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 60V 3.44A DSO-8 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSO615CG | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| BSO615CT | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| BSO615N | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSO613SPV | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH 60V 3.44A DSO-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSO612CVG | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：6... | |
| BSO612CV | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：6... |
