| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSO4822T |
Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSO604NS2 | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CHAN DUAL 55V DSO-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSO612CV | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：6... | |
| BSO612CVG | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：6... | |
| BSO4822 | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSO4804T | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSO4804 | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
