型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTGT50H170TG |
Microsemi Power Products Group | SP4 | 询价QQ: |
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简述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 参考包装数量:1 参考包装形式: |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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APTGT50H60RT3G | Microsemi Power Products Group | * | 10 | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... |
APTGT50H60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | |
APTGT50H60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | 8 | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... |
APTGT50H120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | |
APTGT50H120T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | |
APTGT50DU170TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)... |