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APTGT50DU170TG

Microsemi Power Products Group SP4
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简述:IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4
参考包装数量:1
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与APTGT50DU170TG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGT50H120T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
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APTGT50H170TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
APTGT50DU120TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...
APTGT50DSK60T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双路降压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿(...
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APTGT50DU170TG参数资料

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IGBT 类型:沟道和场截止
配置:双,共源
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.4V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):75A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):4.4nF @ 25V
功率 - 最大:312W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装

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