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首页 > 半导体模块 > IGBT > APTGT50H120T3G
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APTGT50H120T3G

Microsemi Power Products Group SP3 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
参考包装数量:1
参考包装形式:

与APTGT50H120T3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGT50H120TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
APTGT50H170TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
APTGT50H60RT3G Microsemi Power Products Group * 10 POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
APTGT50DU170TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...
APTGT50DU120TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...
APTGT50DSK60T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双路降压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿(...

APTGT50H120T3G参数资料

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IGBT 类型:沟道和场截止
配置:全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):75A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):3.6nF @ 25V
功率 - 最大:270W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装

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