型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
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APTGT50X60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | 25 | IGBT TRENCH 3PHASE BRIDGE SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | |
APTGT580U60D4G | Microsemi Power Products Group | D4 | IGBT 600V 760A 1600W D4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | ||
APTGT600A60G | Microsemi Power Products Group | SP6 | 70 | POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | |
APTGT600DA60G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT 600V 700A 2300W SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | ||
APTGT600DU60G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)... | ||
APTGT600SK60G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT TRENCH BUCK CHOP 600V SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | ||
APTGT600U120D4G | Microsemi Power Products Group | D4 | 13 | IGBT 1200V 900A 2500W D4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | |
APTGT600U170D4G | Microsemi Power Products Group | D4 | 5 | IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | |
APTGT750U60D4G | Microsemi Power Products Group | D4 | IGBT 600V 1000A 2300W D4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | ||
APTGT75A120D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT75A120T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | 10 | POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | |
APTGT75A120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT75A170D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT75A60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | 23 | IGBT PHASE LEG TRENCH 600V SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | |
APTGT75DA120D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1200V 110A 357W D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT75DA120T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT 1200V 110A 357W SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT75DA120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 1200V 110A 357W SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT75DA170D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1700V 120A 520W D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT75DA170T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT 1700V 130A 465W SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT75DA60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | 10 | POWER MOD IGBT 600V 100A SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... |