| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTGT75DA170D1G |
Microsemi Power Products Group | D1 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 1700V 120A 520W D1 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APTGT75DA170T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT 1700V 130A 465W SP1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT75DA60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | 10 | POWER MOD IGBT 600V 100A SP1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... |
| APTGT75DDA60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：双路升压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿（... | |
| APTGT75DA120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 1200V 110A 357W SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT75DA120T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT 1200V 110A 357W SP1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT75DA120D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1200V 110A 357W D1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... |
