| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTGT580U60D4G |
Microsemi Power Products Group | D4 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 600V 760A 1600W D4 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APTGT600A60G | Microsemi Power Products Group | SP6 | 70 | POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... |
| APTGT600DA60G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT 600V 700A 2300W SP6 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | |
| APTGT600DU60G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：双，共源 电压 - 集电极发射极击穿（最大）... | |
| APTGT50X60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | 25 | IGBT TRENCH 3PHASE BRIDGE SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... |
| APTGT50TL601G | Microsemi Power Products Group | SP1 | 3 | POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：三级反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... |
| APTGT50TDU60PG | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：三，双 - 共源 电压 - 集电极发射极击穿... |
