型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
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APTGT150DA120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 1200V 200A 690W SP4 | IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200... | ||
APTGT150DA170D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1700V 280A 780W D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT150DA170G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT 1700V 250A 890W SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT150DA60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | 21 | IGBT BOOST CHOP 600V 225A SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | |
APTGT150DA60TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 600V 225A 480W SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | ||
APTGT150DH120G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:非对称桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大)... | ||
APTGT150DH170G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:非对称桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大)... | ||
APTGT150DH60TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:非对称桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大)... | ||
APTGT150DU120G | Microsemi Power Products Group | SP6 | 10 | POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)... | |
APTGT150DU120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | 31 | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)... | |
APTGT150DU170G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)... | ||
APTGT150DU60TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)... | ||
APTGT150H120G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | ||
APTGT150H170G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | ||
APTGT150H60TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | ||
APTGT150SK120D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1200V 220A 700W D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT150SK120G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT 1200V 220A 690W SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT150SK120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 1200V 220A 690W SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT150SK170D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1700V 280A 780W D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT150SK170G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT 1700V 250A 890W SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... |