收藏本站

闂備浇宕垫慨鎶芥⒔瀹ュ鍨傚┑鍌溓圭粣妤佹叏濡炶浜鹃梺璇″枦婵倝骞忛崨鏉戠妞ゅ繐鎳夐弸鏃堟⒒娴g懓顕滈柛鎰煼楠炲繘鏁撻敓锟�0755-83217923 闂傚倷绀侀幉锛勫垝瀹€鍕珘妞ゆ帒瀚崹鍌涚節婵犲倻澧曠痪顓涘亾闂備焦鍎冲ù姘跺磻閸涙鍥槻闂囧绻濊閻忔繈鍩€椤掍胶娲撮柟顖氬暣閺佹捇鏁撻敓锟�
首页 > 半导体模块 > IGBT > APTGT150DH170G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTGT150DH170G

Microsemi Power Products Group SP6 闂傚倷鐒﹀鍨熆閳ь剛绱掗幓鎺濈吋闁诡垯鐒︾粋鎺斺偓锝庡亝濞呮牠姊虹捄銊ユ珢闁瑰嚖鎷�0755-83217923
询价QQ:闂傚倷绀侀幉锛勫垝瀹€鍕珘妞ゆ帒瀚崹鍌涚節婵犲倻澧曠痪顓涘亾闂備焦鍎冲ù姘跺磻閸涙鍥槻闂囧绻濊閻忔繈鍩€椤掍胶娲撮柟顖氬暣閺佹捇鏁撻敓锟�
简述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
参考包装数量:1
参考包装形式:

与APTGT150DH170G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGT150DH60TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:非对称桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...
APTGT150DU120G Microsemi Power Products Group SP6 10 POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...
APTGT150DU120TG Microsemi Power Products Group SP4 31 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...
APTGT150DH120G Microsemi Power Products Group SP6 IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:非对称桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...
APTGT150DA60TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT 600V 225A 480W SP4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APTGT150DA60T1G Microsemi Power Products Group SP1 21 IGBT BOOST CHOP 600V 225A SP1 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...

APTGT150DH170G参数资料

PDF资料下载:点击下载PDF文档
PDF资料下载:点击下载PDF文档

IGBT 类型:沟道和场截止
配置:非对称桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.4V @ 15V,150A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):250A
电流 - 集电极截止(最大):350µA
Vce 时的输入电容 (Cies):13.5nF @ 25V
功率 - 最大:890W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别