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APTGT150DA60T1G

Microsemi Power Products Group SP1 21
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简述:IGBT BOOST CHOP 600V 225A SP1
参考包装数量:1
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与APTGT150DA60T1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGT150DA60TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT 600V 225A 480W SP4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APTGT150DH120G Microsemi Power Products Group SP6 IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:非对称桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...
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APTGT150DA60T1G参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:沟道和场截止
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):1.9V @ 15V,150A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):225A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):9.2nF @ 25V
功率 - 最大:480W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装

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