| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| APTGT100DA120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 1200V 140A 480W SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | ||
| APTGT100DA170D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1700V 200A 695W D1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | ||
| APTGT100DA170TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 1700V 150A 560W SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | ||
| APTGT100DA60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | 24 | IGBT BOOST CHOP 600V 150A SP1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | |
| APTGT100DA60TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 600V 150A 340W SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | ||
| APTGT100DDA60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MOD TRENCH BOOST CHOP SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：双路升压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿（... | ||
| APTGT100DH120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：非对称桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）... | ||
| APTGT100DH170G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：非对称桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）... | ||
| APTGT100DH60TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：非对称桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）... | ||
| APTGT100DSK60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：双路降压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿（... | ||
| APTGT100DU120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：双，共源 电压 - 集电极发射极击穿（最大）... | ||
| APTGT100DU170TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | 47 | IGBT DUAL SOURCE 1700V 150A SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：双，共源 电压 - 集电极发射极击穿（最大）... | |
| APTGT100DU60TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | 7 | POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：双，共源 电压 - 集电极发射极击穿（最大）... | |
| APTGT100H120G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... | ||
| APTGT100H170G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... | ||
| APTGT100H60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT FULL BRIDGE 600V 150A SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... | ||
| APTGT100H60TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... | ||
| APTGT100SK120D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1200V 150A 520W D1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | ||
| APTGT100SK120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 1200V 140A 480W SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | ||
| APTGT100SK170D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1700V 200A 695W D1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... |
