型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
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APTGT100TA60PG | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MODULE TRPL PHASE LEG SP6P | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三相 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | ||
APTGT100TDU60PG | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MODULE TRIPLE DUAL SRC SP6P | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三,双 - 共源 电压 - 集电极发射极击穿... | ||
APTGT100TL60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | 38 | IGBT MODULE 3LEVEL INVERTER SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三级反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | |
APTGT150A120D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT150A120G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT150A120T3AG | Microsemi Power Products Group | SP3 | 7 | IGBT ARRAY 1200V 220A 833W SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | |
APTGT150A120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT150A170D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT150A170G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT150A60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | 20 | IGBT PHASE LEG 600V 225A SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | |
APTGT150A60TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | ||
APTGT150DA120D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1200V 220A 700W D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT150DA120G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT 1200V 220A 690W SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT150DA120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 1200V 200A 690W SP4 | IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200... | ||
APTGT150DA170D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1700V 280A 780W D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT150DA170G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT 1700V 250A 890W SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT150DA60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | 21 | IGBT BOOST CHOP 600V 225A SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | |
APTGT150DA60TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 600V 225A 480W SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | ||
APTGT150DH120G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:非对称桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大)... | ||
APTGT150DH170G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:非对称桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大)... |