| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTGL475U120DAG |
Microsemi Power Products Group | * | 9 | 询价QQ： |
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| 简述：POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APTGL60DDA120T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | 1 | IGBT4 MODULE TRENCH 1200V SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：双路升压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿（... |
| APTGL60TL120T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | 15 | POWER MODULE IGBT 1200V 60A SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：三级反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... |
| APTGL700U120D4G | Microsemi Power Products Group | D4 | IGBT 1200V 910A 3000W D4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGL475U120D4G | Microsemi Power Products Group | D4 | 2 | IGBT4 SGL SWITCH 1200V 610A D4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... |
| APTGL475SK120D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT 1200V 610A 2080W D3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGL475DA120D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT 1200V 610A 2080W D3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... |
