收藏本站

首页 > 半导体模块 > IGBT > APTGT100A120TG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTGT100A120TG

Microsemi Power Products Group SP4
询价QQ:
简述:IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4
参考包装数量:1
参考包装形式:

与APTGT100A120TG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGT100A170D1G Microsemi Power Products Group D1 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT100A170TG Microsemi Power Products Group SP4 9 POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT100A60T1G Microsemi Power Products Group SP1 18 IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APTGT100A120D1G Microsemi Power Products Group D1 33 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGL700U120D4G Microsemi Power Products Group D4 IGBT 1200V 910A 3000W D4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGL60TL120T3G Microsemi Power Products Group SP3 15 POWER MODULE IGBT 1200V 60A SP3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三级反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...

APTGT100A120TG参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

IGBT 类型:沟道和场截止
配置:半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,100A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):140A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):7.2nF @ 25V
功率 - 最大:480W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别