| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ZXMN6A25DN8TA |
Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 62889 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET 2N-CH 60V 4.6A 8-SOIC 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| ZXMN6A25G | Diodes Inc | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| ZXMN6A25GTA | Diodes Inc | TO-261-4，TO-261AA | 32000 | MOSFET N-CH 60V SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| ZXMN6A25K | Diodes Inc | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CHAN 60V DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| ZXMN6A11ZTA | Diodes Inc | TO-243AA | 7222 | MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| ZXMN6A11GTC | Diodes Inc | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| ZXMN6A11GTA | Diodes Inc | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
