| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ZXMN6A11GTC |
Diodes Inc | TO-261-4，TO-261AA | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CHAN 60V SOT223 参考包装数量：4000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| ZXMN6A11ZTA | Diodes Inc | TO-243AA | 7222 | MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| ZXMN6A25DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 62889 | MOSFET 2N-CH 60V 4.6A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| ZXMN6A25G | Diodes Inc | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| ZXMN6A11GTA | Diodes Inc | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| ZXMN6A11DN8TC | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CHAN 60V 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| ZXMN6A11DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2000 | MOSFET 2N-CH 60V 2.7A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
