| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ZXMN6A11DN8TA |
Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET 2N-CH 60V 2.7A 8-SOIC 参考包装数量：500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| ZXMN6A11DN8TC | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CHAN 60V 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| ZXMN6A11GTA | Diodes Inc | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| ZXMN6A11GTC | Diodes Inc | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| ZXMN6A10N8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| ZXMN6A09KTC | Diodes Inc | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| ZXMN6A09GTA | Diodes Inc | TO-261-4，TO-261AA | 16000 | MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
