型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ZXMN3G32DN8TA |
Diodes Inc | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 5000 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL 参考包装数量:500 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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ZXMN4A06GTA | Diodes Inc | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET N-CH 40V 5A SOT223 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
ZXMN4A06KTC | Diodes Inc | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 5000 | MOSFET N-CHAN 40V 10.9A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
ZXMN6A07FTA | Diodes Inc | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 21000 | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
ZXMN3F31DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 5587 | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
ZXMN3F30FHTA | Diodes Inc | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 18000 | MOSFET N-CHAN 30V SOT23-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
ZXMN3B14FTA | Diodes Inc | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 3000 | MOSFET N-CHAN 30V 3.5A SOT23-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |