| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ZXMN4A06GTA |
Diodes Inc | TO-261-4，TO-261AA | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 40V 5A SOT223 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| ZXMN4A06KTC | Diodes Inc | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 5000 | MOSFET N-CHAN 40V 10.9A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| ZXMN6A07FTA | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 21000 | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| ZXMN6A07FTC | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| ZXMN3G32DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| ZXMN3F31DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5587 | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| ZXMN3F30FHTA | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 18000 | MOSFET N-CHAN 30V SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
