| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ZXMN3A04DN8TC |
Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| ZXMN3A04KTC | Diodes Inc | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 5000 | MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| ZXMN3A05N8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| ZXMN3A06DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| ZXMN3A04DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| ZXMN3A03E6TC | Diodes Inc | SOT-23-6 | MOSFET N-CHAN 30V SOT23-6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| ZXMN3A03E6TA | Diodes Inc | SOT-23-6 | 46996 | MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
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