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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > ZXMN3A04DN8TC
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ZXMN3A04DN8TC

Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与ZXMN3A04DN8TC相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ZXMN3A04KTC Diodes Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5000 MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZXMN3A05N8TA Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
ZXMN3A06DN8TA Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
ZXMN3A04DN8TA Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
ZXMN3A03E6TC Diodes Inc SOT-23-6 MOSFET N-CHAN 30V SOT23-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZXMN3A03E6TA Diodes Inc SOT-23-6 46996 MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

ZXMN3A04DN8TC参数资料

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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:20 毫欧 @ 12.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:36.8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1890pF @ 15V
功率 - 最大:1.25W
安装类型:表面贴装

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