| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ZXMN10A11GTC |
Diodes Inc | TO-261-4，TO-261AA | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 参考包装数量：4000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| ZXMN10A11K | Diodes Inc | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CHAN 100V DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| ZXMN10A11KTC | Diodes Inc | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 5000 | MOSFET N-CH 100V DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| ZXMN10A25GTA | Diodes Inc | TO-261-4，TO-261AA | 8000 | MOSFET N-CHAN 100V SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| ZXMN10A11GTA | Diodes Inc | TO-261-4，TO-261AA | 16000 | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| ZXMN10A09KTC | Diodes Inc | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 100V 5A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| ZXMN10A08G | Diodes Inc | TO-261-4，TO-261AA | 173622 | MOSFET N-CHAN 100V SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
