| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ZXMN10A25GTA |
Diodes Inc | TO-261-4，TO-261AA | 8000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CHAN 100V SOT223 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| ZXMN10A25K | Diodes Inc | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CHAN 100V DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| ZXMN10A25KTC | Diodes Inc | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 5000 | MOSFET N-CH 100V DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| ZXMN10B08E6TA | Diodes Inc | SOT-23-6 | 93000 | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| ZXMN10A11KTC | Diodes Inc | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 5000 | MOSFET N-CH 100V DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| ZXMN10A11K | Diodes Inc | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CHAN 100V DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| ZXMN10A11GTC | Diodes Inc | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
