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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > ZXMN10A09KTC
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ZXMN10A09KTC

Diodes Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 100V 5A DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与ZXMN10A09KTC相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ZXMN10A11GTA Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA 16000 MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZXMN10A11GTC Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZXMN10A11K Diodes Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CHAN 100V DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
ZXMN10A08G Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA 173622 MOSFET N-CHAN 100V SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZXMN10A08E6TC Diodes Inc SOT-23-6 MOSFET N-CHAN 100V SOT23-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZXMN10A08E6TA Diodes Inc SOT-23-6 MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

ZXMN10A09KTC参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):85 毫欧 @ 4.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1313pF @ 50V
功率 - 最大值:2.15W
安装类型:表面贴装

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