| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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TPC8A02-H(TE12L,Q) |
Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH SBD 16A SOP8 2-6J1B 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| TPC8A03-H(TE12LQM) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH SBD 17A SOP8 2-6J1B | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPC8A04-H(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| TPC8A05-H(TE12L,QM | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH SBD 30V 10A 8SOP | FET 类型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能：逻辑电... | |
| TPC8A01(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| TPC8A01(TE12L) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| TPC8408,LQ(S | Toshiba | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 40V 8SOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
