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TPC8A04-H(TE12L,Q)

Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
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简述:MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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TPC8A04-H(TE12L,Q)参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):18A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):56nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5700pF @ 10V
功率 - 最大值:-
安装类型:表面贴装

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