| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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TPC8A01(TE12L) |
Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| TPC8A01(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| TPC8A02-H(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH SBD 16A SOP8 2-6J1B | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPC8A03-H(TE12LQM) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH SBD 17A SOP8 2-6J1B | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPC8408,LQ(S | Toshiba | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 40V 8SOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| TPC8407,LQ(S | Toshiba | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8SOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| TPC8406-H(TE12LQ,M | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N/P-CH 40V 6.5A SOP-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
