收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > STS5DPF20L
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STS5DPF20L

STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500
询价QQ:
简述:MOSFET P-CHAN 20V 5A 8SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与STS5DPF20L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STS5N15F3 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000 MOSFET N-CH 150V 5A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS5N15F4 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 150V 5A SO8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STS5NF60L STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 12856 MOSFET N-CH 60V 5A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS5DNF60L STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2N-CH 60V 5A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
STS5DNF20V STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000 MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
STS4NF100 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000 MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

STS5DPF20L参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:55 毫欧 @ 2.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:16nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1350pF @ 16V
功率 - 最大:1.6W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别