收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STS5N15F3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STS5N15F3

STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 150V 5A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与STS5N15F3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STS5N15F4 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 150V 5A SO8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STS5NF60L STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 12856 MOSFET N-CH 60V 5A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS5PF20V STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 5A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS5DPF20L STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET P-CHAN 20V 5A 8SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
STS5DNF60L STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2N-CH 60V 5A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
STS5DNF20V STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000 MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

STS5N15F3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):57 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1300pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别