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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP8NM50N
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STP8NM50N

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简述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STP8NM50N相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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STP8NM50N参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):790 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):364pF @ 50V
功率 - 最大值:45W
安装类型:通孔

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