收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP8NK85Z
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STP8NK85Z

STMicroelectronics TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 850V 6.7A TO-220
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与STP8NK85Z相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP8NM50 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 550V 8A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP8NM50FP STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 550V 8A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP8NM50N STMicroelectronics TO-220-3 1920 MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP8NK80ZFP STMicroelectronics TO-220-3 整包 1335 MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP8NK80Z STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP8NK100Z STMicroelectronics TO-220-3 4616 MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STP8NK85Z参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):850V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 3.35A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1870pF @ 25V
功率 - 最大值:150W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别