收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP8NM60FP
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STP8NM60FP

STMicroelectronics TO-220-3 整包
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 650V 8A TO-220FP
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STP8NM60FP相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP8NM60N STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP8NM60ND STMicroelectronics TO-220-3 3017 MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP8NS25 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 250V 8A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP8NM60D STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 8A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP8NM60 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 8A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP8NM50N STMicroelectronics TO-220-3 1920 MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STP8NM60FP参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):400pF @ 25V
功率 - 最大值:30W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别