收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STD4NK50ZD
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STD4NK50ZD

STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 37500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与STD4NK50ZD相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STD4NK50ZD-1 STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 500V 3A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD4NK50ZT4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 MOSFET N-CH 500V 3A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD4NK60Z-1 STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 600V 4A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD4NK50Z-1 STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 2750 MOSFET N-CH 500V 3A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD4N62K3 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 1249 MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD4N52K3 STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 525V 4.4A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STD4NK50ZD参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.7 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):310pF @ 25V
功率 - 最大值:45W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别