收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STD4N52K3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STD4N52K3

STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 525V 4.4A IPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与STD4N52K3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STD4N62K3 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 1249 MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD4NK50Z-1 STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 2750 MOSFET N-CH 500V 3A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD4NK50ZD STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 37500 MOSFET N-CH 500V 3A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD4815NT4G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 35A DPAK ...
STD45NF75T4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 32500 MOSFET N-CH 75V 40A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD44N4LF6 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 40V 44A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

STD4N52K3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):525V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.6 欧姆 @ 1.25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):334pF @ 100V
功率 - 最大值:45W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别