收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STD4NK60Z-1
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STD4NK60Z-1

STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与STD4NK60Z-1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STD4NK60ZT4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 27500 MOSFET N-CH 600V 4A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD4NK80Z-1 STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 2357 MOSFET N-CH 800V 3A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD4NK80ZT4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 20000 MOSFET N-CH 800V 3A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD4NK50ZT4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 MOSFET N-CH 500V 3A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD4NK50ZD-1 STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 500V 3A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD4NK50ZD STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 37500 MOSFET N-CH 500V 3A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STD4NK60Z-1参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):510pF @ 25V
功率 - 最大值:70W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别