型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SIR496DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6000 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 8SOIC 参考包装数量:3000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SIR-505STA47F | Rohm Semiconductor | T 1 3/4 | EMITTER IR 950NM T1 3/4 | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:5.... | |
SIR-563ST3FM | Rohm Semiconductor | T 1 3/4 | 3592 | EMITTER IR 940NM 5MM | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:9m... |
SIR-568ST3F | Rohm Semiconductor | T 1 3/4 | 711 | EMITTER IR 850NM T1 3/4 | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:18... |
SIR494DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 135 | MOSFET N-CH D-S 12V PPAK 8SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SIR492DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 9000 | MOSFET N-CH 12V 40A PPAK 8SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SIR484DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |