收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SIHG22N60S-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SIHG22N60S-E3

Vishay Siliconix TO-247-3 354
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 22A TO247
参考包装数量:500
参考包装形式:散装

与SIHG22N60S-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SIHG24N65E-E3 Vishay Siliconix TO-247-3 47 MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIHG25N40D-E3 Vishay Siliconix TO-247-3 15 MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIHG30N60E-E3 Vishay Siliconix TO-247-3 465 MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIHG22N60E-E3 Vishay Siliconix TO-247-3 463 MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIHG22N50D-GE3 Vishay Siliconix TO-247-3(TO-247AC) 50 MOSFET N-CH 500V D TO-247AC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIHG20N50C-E3 Vishay Siliconix TO-247-3 828 MOSFET N-CH 500V 20A TO247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SIHG22N60S-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):22A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 22A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):75nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2810pF @ 25V
功率 - 最大值:250W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别